FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDB070AN06A0 - 场效应管 MOSFET N

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDB070AN06A0
库存状态：上海15, 新加坡 0 , 英国15
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 22.80
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 22.80
10 - 99	CNY 18.20
100+	CNY 14.10

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:60V
开态电???, Rds(on):0.0061ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:175W
封装类型:TO-263
针脚数:3
封装类型:TO-263
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:80A
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:60V
开态电???, Rds(on):0.0061ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:175W
封装类型:TO-263
针脚数:3
封装类型:TO-263
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:80A
表面安装器件:表面安装