简体中文STMICROELECTRONICS - STD35NF06T4 - 场效应管 MOSFET N
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD35NF06T4
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.49
价格：
库存编号：
制造商编号：STD35NF06T4
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.49
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 6.49 |
| 10+ | CNY 6.01 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:35A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:55W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:35A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.018ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:35A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:55W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:35A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.018ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
