INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7509TRPBF - 场效应管 MOSFET N/P

制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF7509TRPBF
库存状态：上海253, 新加坡90, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.10
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 3.10

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:2.7A
电压, Vds 最大:30V
开态???阻, Rds(on):110mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.25W
封装类型:Micro8
针脚数:8
封装类型:Micro8
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道:2.7A
漏极连续电流, Id P沟道:2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs Rds N沟道:10V
电压, Vgs Rds P沟道:10V
电流, Id 连续:2.7A
脉冲电流, Idm N沟道:21A
脉冲电流, Idm P沟道:16A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.9ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.17ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.14ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.3ohm

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:2.7A
电压, Vds 最大:30V
开态???阻, Rds(on):110mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.25W
封装类型:Micro8
针脚数:8
封装类型:Micro8
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道:2.7A
漏极连续电流, Id P沟道:2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs Rds N沟道:10V
电压, Vgs Rds P沟道:10V
电流, Id 连续:2.7A
脉冲电流, Idm N沟道:21A
脉冲电流, Idm P沟道:16A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.9ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.17ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.14ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.3ohm