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ON SEMICONDUCTOR - MMDF2C03HDR2G - 场效应管 MOSFET N/P

ON SEMICONDUCTOR - MMDF2C03HDR2G - 场效应管 MOSFET N/P
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MMDF2C03HDR2G
库存状态：上海 0 , 新加坡25, 英国124
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.20
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 6.20
25+  CNY 5.30

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描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:4.1A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.7V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:4.1A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3A
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 脉冲电流, Idm N沟道:21A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:15A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.06ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.07ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.065ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.225ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:4.1A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.7V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:4.1A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3A
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 脉冲电流, Idm N沟道:21A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:15A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.06ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.07ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.065ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.225ohm