STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - 场效应管 MOSFET N

制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP120NF10
库存状态：上海25, 新加坡374, 英国530
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 16.00
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 16.00

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:100V
开态??阻, Rds(on):0.009ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:312W
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:110A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0105ohm

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:100V
开态??阻, Rds(on):0.009ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:312W
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:110A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0105ohm