FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA430NZ - 场效应管 MOSFET N

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDMA430NZ
库存状态：上海20, 新加坡100, 英国243
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.34
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 5.34
10 - 99	CNY 4.63
100 - 249	CNY 3.87
250 - 499	CNY 3.11
500 - 999	CNY 2.70
1000 - 1999	CNY 2.32
2000+	CNY 2.01

描述信息：

晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):23.6mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:810mV
功耗:900mW
封装类型:MicroFET
针脚数:6
封装类型:MicroFET
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.81V

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):23.6mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:810mV
功耗:900mW
封装类型:MicroFET
针脚数:6
封装类型:MicroFET
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.81V