FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQB11N40TM - 场效应管 MOSFET N沟道

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQB11N40TM
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国41
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.50
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 12.50
10 - 99	CNY 10.00
100 - 249	CNY 9.40
250 - 499	CNY 8.90
500 - 999	CNY 7.70
1000+	CNY 7.50

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11.4A
电压, Vds 最大:400V
???态电阻, Rds(on):380mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:3.13W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D2-PAK
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11.4A
电压, Vds 最大:400V
???态电阻, Rds(on):380mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:3.13W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D2-PAK
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装