ON SEMICONDUCTOR - MMDF1N05ER2G - 场效应管 MOSFET NN

制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MMDF1N05ER2G
库存状态：上海 0 , 新加坡75, 英国3
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.50
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 6.50
25+	CNY 5.90

描述信息：

晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装