FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - 场效应管 MOSFET P

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQB27P06TM
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国470
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.50
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 8.50
10 - 99	CNY 7.00
100 - 249	CNY 5.70
250 - 499	CNY 5.50
500+	CNY 5.00

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-27A
电压, Vds 最大:-60V
开态电???, Rds(on):0.055ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:120W
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:27A
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-27A
电压, Vds 最大:-60V
开态电???, Rds(on):0.055ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:120W
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:27A
表面安装器件:表面安装