INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7907PBF - 场效应管 MOSFET NN
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF7907PBF
库存状态:上海 0 , 美国 0 , 新加坡50, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 11.15
价格:
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多重订单量:1
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价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 11.15 |
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):11.8mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):9.1A
- 漏极连续电流, Id N沟道(2):11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:11A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 1:13.7ohm
- 通态电阻, Rds on N沟道 2:9.8ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
产品属性:
重量(公斤):0.0001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):11.8mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):9.1A
- 漏极连续电流, Id N沟道(2):11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:11A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 1:13.7ohm
- 通态电阻, Rds on N沟道 2:9.8ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V

