FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDT434P. - 场效应管 MOSFET P

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDT434P.
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国3066
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 4.40
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 4.40
10 - 99	CNY 3.80
100 - 249	CNY 3.20
250 - 499	CNY 2.60
500 - 999	CNY 2.20
1000+	CNY 2.10

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-600mV
功耗:3W
封装类型:SOT-223
针脚数:4
封装类型:SOT-223
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.6V

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-600mV
功耗:3W
封装类型:SOT-223
针脚数:4
封装类型:SOT-223
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.6V