简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6320C - 场效应管 MOSFET N/P
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDC6320C
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国545
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 3.00
价格：
库存编号：
制造商编号：FDC6320C
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国545
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 3.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 3.00 |
| 10 - 99 | CNY 2.60 |
| 100 - 249 | CNY 2.20 |
| 250 - 499 | CNY 1.80 |
| 500 - 999 | CNY 1.50 |
| 1000+ | CNY 1.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual NP
- 漏极电流, Id 最大值:220mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电压 @ Rds测量:2.7V
- 电压, Vgs 最高:850mV
- 功耗:900mW
- 封装类型:Super-SOT
- 针脚数:6
- 封装类型:SuperSOT-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.65V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:-0.65V
- 最高阈值电压, Vgs th P沟道:-1.5V
- 漏极连续电流, Id N沟道:0.22A
- 漏极连续电流, Id P沟道:0.12A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电压, Vgs Rds P沟道:4.5V
- 电流, Id 连续:220mA
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电???, Rds on N沟道 最大:4ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:10ohm
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual NP
- 漏极电流, Id 最大值:220mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电压 @ Rds测量:2.7V
- 电压, Vgs 最高:850mV
- 功耗:900mW
- 封装类型:Super-SOT
- 针脚数:6
- 封装类型:SuperSOT-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.65V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:-0.65V
- 最高阈值电压, Vgs th P沟道:-1.5V
- 漏极连续电流, Id N沟道:0.22A
- 漏极连续电流, Id P沟道:0.12A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电压, Vgs Rds P沟道:4.5V
- 电流, Id 连续:220mA
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电???, Rds on N沟道 最大:4ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:10ohm
