简体中文VISHAY SILICONIX - SST5485-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-236
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SST5485-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：100
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：SST5485-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：100
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:-25V
- 电压, Vgs off 最大:-4V
- 功耗:350mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-236
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-236
- 晶体管极性:N Channel
- 电流, Idss 最大:10mA
- 电流, Idss 最小:4mA
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:-25V
- 电压, Vgs off 最大:-4V
- 功耗:350mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-236
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-236
- 晶体管极性:N Channel
- 电流, Idss 最大:10mA
- 电流, Idss 最小:4mA
