国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文

VISHAY SILICONIX - SI1012X-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 3-SC-89

VISHAY SILICONIX - SI1012X-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 3-SC-89
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI1012X-T1-E3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 1.38
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 99 CNY 1.38
100+  CNY 1.32

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:500mA
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):1.25ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:900mV
  • 功耗:250mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-89
  • 针脚数:3
  • 封装类型:SC-89
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:500mA
  • 表面安装器件:表面安装
产品属性:

重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:500mA
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):1.25ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:900mV
  • 功耗:250mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-89
  • 针脚数:3
  • 封装类型:SC-89
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:500mA
  • 表面安装器件:表面安装