VISHAY SILICONIX - SI1024X-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 6-SC-89

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI1024X-T1-E3
库存状态：上海200, 美国 0 , 新加坡20, 英国10
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.18
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 99	CNY 2.18
100+	CNY 2.15

描述信息：

晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:600mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:900mV
功耗:250mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
针脚数:6
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.6μA
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:600mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:900mV
功耗:250mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
针脚数:6
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.6μA
表面安装器件:表面安装