VISHAY SILICONIX - SI1032R-T1-E3.. - 场效应管 MOSFET P SC-75A
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI1032R-T1-E3..
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国480
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 1.04
价格:
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多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 1.04
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 99 | CNY 1.04 |
| 100+ | CNY 0.99 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):9ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:700mV
- 功耗:280mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-75A
- 针脚数:3
- 封装类型:SC-75A
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:200mA
产品属性:
重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):9ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:700mV
- 功耗:280mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-75A
- 针脚数:3
- 封装类型:SC-75A
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:200mA

