简体中文VISHAY SILICONIX - SI1553DL-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 6-SC-70
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI1553DL-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：100
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.50
价格：
库存编号：
制造商编号：SI1553DL-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：100
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY 2.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N/P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:660mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电???, Rds(on):0.995ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:600mV
- 功耗:300mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 封装类型:6SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:660mA
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N/P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:660mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电???, Rds(on):0.995ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:600mV
- 功耗:300mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 封装类型:6SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:660mA
