VISHAY SILICONIX - SI3588DV-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TSOP-6

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI3588DV-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡50, 英国342
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.32
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 99	CNY 6.32
100+	CNY 6.12

描述信息：

晶体管极性:Dual N / P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):80mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:450mV
功耗:830mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
针脚数:6
封装类型:TSOP-6
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:3A

产品属性：

重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:Dual N / P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):80mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:450mV
功耗:830mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
针脚数:6
封装类型:TSOP-6
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:3A