VISHAY SILICONIX - SI4431BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 8-SOIC

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4431BDY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡184, 英国166
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.84
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 7.84

描述信息：

晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:5.8A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):40mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-3V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:8-SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:5.8A
表面安装器件:表面安装

产品属性：

重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:5.8A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):40mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-3V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:8-SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:5.8A
表面安装器件:表面安装