简体中文VISHAY SILICONIX - SI4896DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4896DY-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14.38
价格：
库存编号：
制造商编号：SI4896DY-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14.38
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 99 | CNY 14.38 |
| 100+ | CNY 13.90 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:9.5A
- 电压, Vds 最大:80V
- 开态电阻, Rds(on):16.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2V
- 功耗:1.56W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 针脚数:8
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:80V
- 电流, Id 连续:9.5A
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:9.5A
- 电压, Vds 最大:80V
- 开态电阻, Rds(on):16.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2V
- 功耗:1.56W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 针脚数:8
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:80V
- 电流, Id 连续:9.5A
