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VISHAY SILICONIX - SI8401DB-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 'MICRO FOOT'微型封装

VISHAY SILICONIX - SI8401DB-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 'MICRO FOOT'微型封装
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI8401DB-T1-E3
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国205
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 11.50
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 99 CNY 11.50
100+  CNY 11.09

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描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-3.6A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:-900mV
  • 功耗:2.77W
  • 封装类型:Micro Foot
  • 针脚数:3
  • 封装类型:Micro Foot
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:0.065V
  • 电压, Vds 典型值:-20.V
  • 电流, Id 连续:-4.1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-4.5V
产品属性:

重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-3.6A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:-900mV
  • 功耗:2.77W
  • 封装类型:Micro Foot
  • 针脚数:3
  • 封装类型:Micro Foot
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:0.065V
  • 电压, Vds 典型值:-20.V
  • 电流, Id 连续:-4.1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-4.5V