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ON SEMICONDUCTOR - BUB323ZT4G - 双极性晶体管 达林顿型

ON SEMICONDUCTOR - BUB323ZT4G - 双极性晶体管 达林顿型
制造商:ON SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:BUB323ZT4G
库存状态:上海 0 , 新加坡100, 英国2
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 15.49
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 15.49
25  - 99 CNY 11.92
100+  CNY 11.65

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描述信息:
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:350V
  • 截止频率 ft, 典型值:2MHz
  • 功耗, Pd:150W
  • 集电???直流电流:10A
  • 直流电流增益 hFE:3.4
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装类型:D2PAK
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功耗:150W
  • 封装类型:D2PAK
  • 晶体管类型:High Voltage
  • 最大连续电流, Ic:10A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:0.5
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
产品属性:

重量(公斤):1.52
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:350V
  • 截止频率 ft, 典型值:2MHz
  • 功耗, Pd:150W
  • 集电???直流电流:10A
  • 直流电流增益 hFE:3.4
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装类型:D2PAK
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功耗:150W
  • 封装类型:D2PAK
  • 晶体管类型:High Voltage
  • 最大连续电流, Ic:10A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:0.5
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.6V