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ON SEMICONDUCTOR - MMBT2222LT1G - 双极性晶体管

ON SEMICONDUCTOR - MMBT2222LT1G - 双极性晶体管
制造商:ON SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:MMBT2222LT1G
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 0.172
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 0.172
25  - 99 CNY 0.147
100+  CNY 0.136

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描述信息:
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:30V
  • 截止频率 ft, 典型值:250MHz
  • 功耗, Pd:300mW
  • 集电极直流电流:600mA
  • 直流电流增益 hFE:250
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功耗:225mW
  • 封装类型:SOT-23
  • 晶体管类型:General Purpose
  • 最大连续电流, Ic:600mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:30V
产品属性:

重量(公斤):0.08
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:30V
  • 截止频率 ft, 典型值:250MHz
  • 功耗, Pd:300mW
  • 集电极直流电流:600mA
  • 直流电流增益 hFE:250
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功耗:225mW
  • 封装类型:SOT-23
  • 晶体管类型:General Purpose
  • 最大连续电流, Ic:600mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:30V