ZETEX - ZXMN3A01E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:3A1
- 功率, Pd:1.1W
- 封装类型:SOT-23-6
- 总功率, Ptot:1.1W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:3A1
- 功率, Pd:1.1W
- 封装类型:SOT-23-6
- 总功率, Ptot:1.1W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V