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ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8

ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8
制造商：ZETEX
库存编号：
制造商编号：ZXMHC6A07T8TA
库存状态：上海95, 新加坡 0 , 英国149
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 31.65
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 31.65
25  - 99 CNY 24.07
100  - 499 CNY 16.55
500+  CNY 12.04

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道H-桥
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:1.7W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SM-8
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SM-8
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMHC6A07
  • 功率, Pd:1.7W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 漏极连续电流, Id P沟道:1.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs Rds N沟??:10V
  • 电压, Vgs Rds P沟道:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 电流, Idm 脉冲:8.7A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:1.8ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性：

重量（公斤）：0.00007
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道H-桥
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:1.7W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SM-8
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SM-8
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMHC6A07
  • 功率, Pd:1.7W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 漏极连续电流, Id P沟道:1.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs Rds N沟??:10V
  • 电压, Vgs Rds P沟道:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 电流, Idm 脉冲:8.7A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:1.8ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V