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INFINEON - SPP20N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220

INFINEON - SPP20N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
制造商:INFINEON
库存编号:
制造商编号:SPP20N60CFD
库存状态:上海 0 , 新加坡10, 英国88
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 37.20
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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20.7A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:208W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电流, Id 连续:20.7A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:

重量(公斤):0.00195
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20.7A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:208W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电流, Id 连续:20.7A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V