简体中文INFINEON - SPS03N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：SPS03N60C3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.80
价格：
库存编号：
制造商编号：SPS03N60C3
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 8.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3.2A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):1.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:38W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-251
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 封装类型:TO-251
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:3.2A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3.2A
- 电压, Vds 最大:650V
- 开态电阻, Rds(on):1.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:38W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-251
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 封装类型:TO-251
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:650V
- 电流, Id 连续:3.2A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
