简体中文VISHAY SILICONIX - SI2302CDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI2302CDS-T1-GE3
库存状态：上海170, 新加坡 0 , 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.82
价格：
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制造商编号：SI2302CDS-T1-GE3
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.82
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.82 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.057ohm
- 电压 @ Rds测量:8V
- 电压, Vgs 最高:850mV
- 功耗:710mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 上升时间:7ns
- 功率, Pd:0.71W
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:0.85V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.057ohm
- 电压 @ Rds测量:8V
- 电压, Vgs 最高:850mV
- 功耗:710mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- 上升时间:7ns
- 功率, Pd:0.71W
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:0.85V
