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VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4559ADY-T1-E3
库存状态：上海55, 新加坡 0 , 英国990
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.20
价格：
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1+  CNY 13.20

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描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:4.3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • 功耗, N沟道 1:3.1W
  • 功耗, P沟道 1:3.4W
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:3V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.3A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.9A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.058ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.072ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.15ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:4.3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • 功耗, N沟道 1:3.1W
  • 功耗, P沟道 1:3.4W
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:3V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.3A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.9A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.058ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.072ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.15ohm