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VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 双MOSFET N/P沟道 SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 双MOSFET N/P沟道 SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4565DY-T1-E3
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：

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描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功耗, N沟道 1:1.1W
  • 功耗, P沟道 1:1.1W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:NP
  • 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功耗, N沟道 1:1.1W
  • 功耗, P沟道 1:1.1W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm