VISHAY SILICONIX - SI4834DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 开态电阻, Rds(on):0.022ohm
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:1.1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性:
重量(公斤):0.0004
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 开态电阻, Rds(on):0.022ohm
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:1.1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V