VISHAY SILICONIX - SI2312BDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI2312BDS-T1-GE3
库存状态：上海160, 新加坡36, 英国895
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.16
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 4.16

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.031ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:750mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
上升时间:30ns
功率, Pd:0.75W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:8V
阈值电压, Vgs th 最低:0.45V
阈值电压, Vgs th 最高:0.85V

产品属性：

重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.031ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:750mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
上升时间:30ns
功率, Pd:0.75W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:8V
阈值电压, Vgs th 最低:0.45V
阈值电压, Vgs th 最高:0.85V