VISHAY SILICONIX - SIE854DF-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N POLARPAK

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SIE854DF-T1-E3
库存状态：上海15, 新加坡25, 英国188
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 39.10
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 39.10

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13.2A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.0142ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:5.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PolarPAK
上升时间:10ns
功率, Pd:125W
封装类型:PolarPAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:64A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.4V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13.2A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.0142ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:5.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PolarPAK
上升时间:10ns
功率, Pd:125W
封装类型:PolarPAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:64A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.4V