简体中文VISHAY SILICONIX - SIB415DK-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET P PPAK SC-75
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SIB415DK-T1-GE3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.17
价格：
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制造商编号：SIB415DK-T1-GE3
库存状态：无库存
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.17
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 7.17 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-9A
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开??电阻, Rds(on):0.087ohm
- 电压 @ Rds测量:20V
- 电压, Vgs 最高:-3V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-75
- 针脚数:6
- 上升时间:55ns
- 功率, Pd:13W
- 封装类型:SC-75
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:9A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.0025
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-9A
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开??电阻, Rds(on):0.087ohm
- 电压 @ Rds测量:20V
- 电压, Vgs 最高:-3V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-75
- 针脚数:6
- 上升时间:55ns
- 功率, Pd:13W
- 封装类型:SC-75
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:9A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
