VISHAY SILICONIX - SI4834CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 SO-8

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4834CDY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国416
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.54
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 12.54

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
上升时间:10ns
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7.5A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V

产品属性：

重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
上升时间:10ns
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7.5A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V