INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:9.7A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:9.7A
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
产品属性:
重量(公斤):0.0001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:9.7A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:9.7A
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V