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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8

INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF8313PBF..
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):
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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9.7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:2W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:9.7A
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
产品属性:

重量(公斤):0.0001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9.7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:2W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:9.7A
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V