INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8513PBF - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 8A/11A SO8

制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF8513PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡46, 英国142
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.19
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 6.19

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8mA
电压, Vds 最??:30V
开态电阻, Rds(on):15.5mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2.4W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
阈值电压, Vgs th 最高:2.35V

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8mA
电压, Vds 最??:30V
开态电阻, Rds(on):15.5mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2.4W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
阈值电压, Vgs th 最高:2.35V