FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQA62N25C - 场效应管 MOSFET N沟道 62A 250V TO-39PN

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQA62N25C
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国15
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 78.26
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 78.26

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:62A
电压, Vds 最大:250V
开态电阻, Rds(on):35mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:298W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3PN
针脚数:3
封装类型:TO-3PN
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电流, Id 连续:62A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:62A
电压, Vds 最大:250V
开态电阻, Rds(on):35mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:298W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3PN
针脚数:3
封装类型:TO-3PN
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电流, Id 连续:62A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V