FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP14AN06LA0 - 场效应管 MOSFET N沟道 60A 60V TO220AB

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP14AN06LA0
库存状态：上海 0 , 新加坡20, 英国11
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 33.46
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 33.46

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:67A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):12.8mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:125W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:67A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):12.8mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:125W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V