FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6333C.. - 场效应管 MOSFET N&P沟道 30V 2.5/2A SSOT6

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDC6333C..
库存状态：上海 0 , 新加坡200, 英国1775
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.36
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 4.36

描述信息：

晶体管极性:N/P
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):95mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:960mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N/P
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):95mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:960mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V