FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6301N.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 25V 0.22A SSOT6

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDC6301N..
库存状态：上海 0 , 新加坡250, 英国401
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.27
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 3.27

描述信息：

晶体管极性:NN
漏极电流, Id 最大值:220mA
电???, Vds 最大:25V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:850mV
功耗:900mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.7V
电压, Vds 典型值:25V
电流, Id 连续:220mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:850mV

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:NN
漏极电流, Id 最大值:220mA
电???, Vds 最大:25V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:850mV
功耗:900mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.7V
电压, Vds 典型值:25V
电流, Id 连续:220mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:850mV