FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC3612 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 2.6A SSOT6

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDC3612
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡100, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.28
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 8.28

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.6A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):125mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.3V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:2.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.6A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):125mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.3V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
针脚数:6
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:2.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V