FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQP22N30 - 场效应管 MOSFET N沟道 300V 21A TO220
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FQP22N30
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 25.72
价格:
库存编号:
制造商编号:FQP22N30
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 25.72
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 25.72 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:21A
- 电压, Vds 最大:300V
- 开态电阻, Rds(on):160mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:170W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:300V
- 电流, Id 连续:21A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性:
重量(公斤):0.00204
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:21A
- 电压, Vds 最大:300V
- 开态电阻, Rds(on):160mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:170W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:300V
- 电流, Id 连续:21A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V

