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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG326P - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 1.5A SC706

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG326P - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 1.5A SC706
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDG326P
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 5.23
价格:
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描述信息:
  • 晶体管极性:N/P
  • 漏极电流, Id 最大值:1.5A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):140mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 功耗:750mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-70
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-70
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-2.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电流, Id 连续:-1.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-900mV
产品属性:

重量(公斤):0.023
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N/P
  • 漏极电流, Id 最大值:1.5A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):140mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 功耗:750mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-70
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-70
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-2.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电流, Id 连续:-1.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-900mV