VISHAY SILICONIX - SI3445DV-T1-E3 - 场效应管 MOSFET

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI3445DV-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国255
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.77
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 8.77

描述信息：

晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:5.6A
电压, Vds 最大:-8V
开态电阻, Rds(on):0.042ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-1V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
针脚数:6
封装类型:6-TSOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-8V
电流, Id 连续:5.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:5.6A
电压, Vds 最大:-8V
开态电阻, Rds(on):0.042ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-1V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
针脚数:6
封装类型:6-TSOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-8V
电流, Id 连续:5.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V