VISHAY SILICONIX - SI4486EY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4486EY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国16
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 25.45
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 25.45

描述信息：

晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:7.9A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2V
功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:7.9A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2V
功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8