ZETEX - ZXMD63C03X - 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8
制造商:ZETEX
库存编号:
制造商编号:ZXMD63C03X
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国596
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 26.52
价格:
库存编号:
制造商编号:ZXMD63C03X
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国596
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 26.52
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
5 - 24 | CNY 26.52 |
25 - 99 | CNY 20.17 |
100 - 499 | CNY 13.87 |
500+ | CNY 10.09 |
描述信息:
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:2.3A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.25W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MSOP
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:MSOP8
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:ZXM63C03
- 功率, Pd:1.04W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 漏极连续电流, Id P沟道:2A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电压, Vgs Rds P沟道:10V
- 电流, Id 连续:2.3A
- 电流, Idm 脉冲:14A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.135ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.185ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:2.3A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.25W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MSOP
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:MSOP8
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:ZXM63C03
- 功率, Pd:1.04W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 漏极连续电流, Id P沟道:2A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电压, Vgs Rds P沟道:10V
- 电流, Id 连续:2.3A
- 电流, Idm 脉冲:14A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.135ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.185ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V