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SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光

SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光
制造商：SHARP
库存编号：
制造商编号：PT480E00000F
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1916
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.70
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 2.70
10  - 99 CNY 2.20
100+  CNY 1.80

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描述信息：
  • 波长, 典型值:800nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:26°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:3μs
  • 半角:13°
  • 外宽:3.0mm
  • 外部深度:2.8mm
  • 外部长度/高度:4.0mm
  • 封装类型:Radial
  • 工作温度最低:-25°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 工作温度范围:-25°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
  • 波长, 频谱响应峰值:800nm
  • 电流, Ic 典型值:1.7mA
  • 下降时间:3.5μs
  • 功耗:75mW
  • 反向保护电压:6V
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:85°C
  • 引线直径:0.4mm
  • 引线长度:17.5mm
  • 引脚节距:2.54mm
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:800nm
  • 电流, Ic 最大:6mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
产品属性：

重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 波长, 典型值:800nm
  • 功耗:75mW
  • 视角:26°
  • 针脚数:2
  • 上升时间:3μs
  • 半角:13°
  • 外宽:3.0mm
  • 外部深度:2.8mm
  • 外部长度/高度:4.0mm
  • 封装类型:Radial
  • 工作温度最低:-25°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 工作温度范围:-25°C to +85°C
  • 晶体管类型:Phototransistor
  • 标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
  • 波长, 频谱响应峰值:800nm
  • 电流, Ic 典型值:1.7mA
  • 下降时间:3.5μs
  • 功耗:75mW
  • 反向保护电压:6V
  • 存储温度, 最低:-40°C
  • 存储温度, 最高:85°C
  • 引线直径:0.4mm
  • 引线长度:17.5mm
  • 引脚节距:2.54mm
  • 暗电流:100nA
  • 波长峰值:800nm
  • 电流, Ic 最大:6mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V