VISHAY SILICONIX - SI2318DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 Id: 3900mA
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI2318DS-T1-E3
库存状态:美国 0 , 上海 0 , 美国11705, 新加坡1039
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.96
价格:
库存编号:
制造商编号:SI2318DS-T1-E3
库存状态:美国 0 , 上海 0 , 美国11705, 新加坡1039
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.96
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 2.96 |
描述信息:
- 场效应管 MOSFET N沟道 Id: 3900mA
产品属性:
重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 场效应管 MOSFET N沟道 Id: 3900mA

