FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG316P - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.6A SC70-6
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDG316P
库存状态:上海 0 , 美国235, 新加坡 0 , 英国1881
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.22
价格:
库存编号:
制造商编号:FDG316P
库存状态:上海 0 , 美国235, 新加坡 0 , 英国1881
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 2.22
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1+ | CNY 2.22 |
描述信息:
- 晶体管极性:P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:1.6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-1.6V
- 功耗:0.75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 器件标记:.36
- 封装类型:SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.6A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:1.6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-1.6V
- 功耗:0.75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 器件标记:.36
- 封装类型:SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.6A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V